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第1章 引言
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第2章 晶體結(jié)構(gòu)與能帶
2.1 引言
2.2 晶體結(jié)構(gòu)
2.3 薛定諤波動(dòng)方程
2.4 倒易晶格
2.5 能帶
2.6 電子的態(tài)密度與占有概率
2.7 動(dòng)量與有效質(zhì)量
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第3章 聲子、光子與激子
3.1 引言
3.2 聲子
3.3 光子
3.4 拉曼散射
3.5 激子
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第4章 硅的光學(xué)性質(zhì)
4.1 引言
.4.2 純硅對(duì)光的吸收
4.2.1 一般情況
4.2.2 聲子輔助的光吸收過(guò)程
4.2.3 吸收邊
4.2.4 波長(zhǎng)調(diào)制光譜法
4.2.5 多聲子過(guò)程
4.2.6 直接吸收
4.2.7 自由載流子與晶格吸收
4.3 折射率
4.4 溫度依從性
4.5 重?fù)诫s硅
4.6 其他吸收過(guò)程
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第5章 產(chǎn)生、復(fù)合與載流子輸運(yùn)
5.1 一般公式
5.2 產(chǎn)生
5.3 復(fù)合
5.3.1 概述
5.3.2 輻射復(fù)合
5.3.3 帶對(duì)帶俄歇復(fù)合
5.3.4 通過(guò)缺陷能級(jí)的復(fù)合
5.4 載流子輸運(yùn)
5.4.1 漂移和擴(kuò)散
5.4.2 玻耳茲曼輸運(yùn)方程
5.4.3 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子遷移率
5.4.4 高注入的遷移率
5.4.5 激子輸運(yùn)
5.4.6 重?fù)叫?yīng)
參考文獻(xiàn)

第6章 光陷阱
6.1 引言
6.2 隨機(jī)陷光
6.3 幾何陷光
6.3.1 介紹
6.3.2 二維幾何結(jié)構(gòu)
6.3.3 三維幾何結(jié)構(gòu)
6.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
6.5 聚光太陽(yáng)能電池
6.6 電池封裝中的光陷阱
參考文獻(xiàn)

第7章 基礎(chǔ)效率極限
7.1 引言
7.2 光生電流限制
7.3 開(kāi)路電壓極限
7.3.1 一般情況
7.3.2 低注入條件
7.3.3 狹窄基區(qū)，高注入條件
7.4 填充因子極限
7.5 效率極限
7.5.1 非聚光電池
7.5.2 聚光太陽(yáng)能電池
7.6 材料要求
7.7 突破效率極限
參考文獻(xiàn)

第8章 閾下載流子生成
8.1 引言
8.2 鍺合金
8.3 雜質(zhì)光伏效應(yīng)
8.3.1 簡(jiǎn)介
8.3.2 光學(xué)俘獲截面
8.3.3 設(shè)計(jì)理念
8.3.4 個(gè)例分析——銦
8.3.5 其他摻雜物質(zhì)
8.3.6 細(xì)致平衡分析
8.4 其他設(shè)計(jì)
8.4.1 植入缺陷層
8.4.2 delta摻雜
8.5 層疊電池
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第9章 表面、接觸與體區(qū)性質(zhì)
9.1 引言
9.2 表面復(fù)合
9.2.1 界面態(tài)與氧化層陷阱
9.3 界面態(tài)復(fù)合
9.3.1 獨(dú)立離散界面態(tài)
9.3.2 獨(dú)立連續(xù)界面態(tài)
9.3.3 等量俘獲截面
9.3.4 恒定俘獲截面比
9.3.5 實(shí)驗(yàn)表面態(tài)密度與俘獲截面
9.4 接觸復(fù)合
9.5 體復(fù)合
9.6 吸除法
9.7 缺陷鈍化
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第10章 硅太陽(yáng)能電池的發(fā)展
10.1 緒論
10.2 早期硅太陽(yáng)能電池
10.3 傳統(tǒng)的空間太陽(yáng)能電池
10.4 背電場(chǎng)
10.5 紫電池
10.6 黑電池
10.7 氧化物表面鈍化
10.8 電極接觸鈍化
10.9 頂層表面鈍化太陽(yáng)能電池
10.10 頂面和背面鈍化太陽(yáng)能電池
10.11 perl太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)
10.11.1 光學(xué)特征
10.11.2 電學(xué)特征
10.12 總結(jié)
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第11章 絲網(wǎng)印刷和埋柵太陽(yáng)能電池
11.1 緒論
11.2 絲網(wǎng)印刷太陽(yáng)能電池
11.2.1 結(jié)構(gòu)
11.2.2 典型性能
11.2.3 經(jīng)改良的技術(shù)
11.3 埋柵太陽(yáng)能電池
11.3.1 結(jié)構(gòu)
11.3.2 性能分析
11.3.3 量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)
11.3.4 未來(lái)工藝發(fā)展
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第12章 高性能聚光太陽(yáng)能電池
12.1 緒論
12.2 傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池
12.2.1 低成本設(shè)計(jì)
12.2.2 高效率空間太陽(yáng)能電池技術(shù)
12.2.3 pesc和perl太陽(yáng)能電池
12.2.4 v形槽硅電池
12.3 背接觸太陽(yáng)能電池
12.3.1 叉指形背接觸太陽(yáng)能電池
12.3.2 前面場(chǎng)電池和疊層太陽(yáng)能電池
12.3.3 雙面和點(diǎn)光柵太陽(yáng)能電池
12.4 垂直結(jié)太陽(yáng)能電池
12.5 點(diǎn)接觸太陽(yáng)能電池
12.5.1 結(jié)構(gòu)
12.5.2 復(fù)合作用的組成部分
12.5.3 光生電流的收集
12.5.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
12.5.5 點(diǎn)接觸電池的穩(wěn)定性
12.5.6 近期的發(fā)展
12.6 總結(jié)
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第13章 mc_si多晶硅和帶狀硅
13.1 概述
13.2 氫鈍化
13.3 磷處理
13.4 其他鈍化方法
13.5 制絨
13.6 高級(jí)電池結(jié)構(gòu)
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第14章 薄膜pc-si多晶硅電池和多層電池
14.1 引言
14.2 晶界
14.2.1 物理結(jié)構(gòu)
14.2.2 電子學(xué)性質(zhì)
14.2.3 電阻效應(yīng)
14.2.4 復(fù)合性質(zhì)
14.3 晶內(nèi)性質(zhì)
14.4 單結(jié)太陽(yáng)能電池
14.5 多層太陽(yáng)能電池
14.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)

第15章 總結(jié)
附錄a 希臘字母表
附錄b 基本物理常數(shù)
附錄c 光譜數(shù)據(jù)表
附錄d 硅的光學(xué)性質(zhì)（300k）
附錄e 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
e.1 引言
e.2 熱平衡
e.3 非平衡態(tài)
e.4 界面
e.5 非平衡態(tài)p-n結(jié)
e.6 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的應(yīng)用
附錄f 反射控制
f.1 減反膜
f.2 表面制絨
f.2.1 歷史回顧與技術(shù)前景
f.2.2 制絨控制反射的理論
參考文獻(xiàn)
附錄g 紅外光譜響應(yīng)
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